RAM 4GB DDR4-2666 PC4-21300 Samsung Original, CL19, 1.2V (M378A5244CB0-CTD)
Описание
Общие характеристики
- Тип памяти
- DDR4
- Форм-фактор
- SODIMM 260-контактный
- Тактовая частота
- 2666 МГц
- Пропускная способность
- 21300 МБ/с
- Объем
- 1 модуль 16 ГБ
- Поддержка ECC
- нет
- Буферизованная (Registered)
- нет
- Низкопрофильная (Low Profile)
- нет
Тайминги
- CAS Latency (CL)
- 19
- RAS to CAS Delay (tRCD)
- 19
- Row Precharge Delay (tRP)
- 19
Дополнительно
- Количество чипов каждого модуля
- 16, двусторонняя упаковка
- Напряжение питания
- 1.2 В